Inscriere cercetatori

Site nou !

Daca nu va puteti recupera parola (sau aveti alte probleme), scrieti-ne la pagina de contact. Situl vechi se gaseste la adresa old.ad-astra.ro

Facebook

Real-time observation of charging dynamics in hafnium silicate films using MOS capacitance transients

Domenii publicaţii > Stiinte ingineresti + Tipuri publicaţii > Articol în revistã ştiinţificã

Autori: Y. Lu, S. Hall, O. Buiu, J.F. Zhang

Editorial: Microelectronic Engineering, , 84, p.2390-2393, 2007.

Rezumat:

Cuvinte cheie: Metal oxide semiconductor, thin films, capacitance, transients