Scopul nostru este sprijinirea şi promovarea cercetării ştiinţifice şi facilitarea comunicării între cercetătorii români din întreaga lume.
Staff Login
Premii Ad Astra
Asociația Ad Astra a anunțat câștigătorii Premiilor Ad Astra 2022: http://premii.ad-astra.ro/. Proiectul și-a propus identificarea și popularizarea modelelor de succes, a rezultatelor excepționale ale cercetătorilor români din țară și din afara ei.
KFM observation of electron charging and discharging in phosphorus-doped SOI channel
Domenii publicaţii > Fizica + Tipuri publicaţii > Articol în revistã ştiinţificã
Autori: M. Anwar, Y. Kawai, D. Moraru, T. Mizuno, M. Tabe
Editorial: Trans Tech Publications, Key Engineering Materials, 470, p.33-38, 2011.
Rezumat:
Low temperature Kelvin Probe Force Microscopy (LT-KFM) can be used to monitor the electronic potential of individual dopants under an electric field. This capability is demonstrated for silicon-on-insulator field-effect-transistors (SOI-FETs) with a phosphorus-doped channel. We show
results of the detection of individual dopants in Si by LT-KFM. Furthermore, we also observe single-electron charging in individual dopants located in the Si channel region.
Cuvinte cheie: Kelvin probe force microscopy, dopant, SOI-FET