Scopul nostru este sprijinirea şi promovarea cercetării ştiinţifice şi facilitarea comunicării între cercetătorii români din întreaga lume.
Domenii publicaţii > Fizica + Tipuri publicaţii > Articol în revistã ştiinţificã
Autori: M.F.Lazarescu, E.Elena, A.S.Manea, C.Timus, M.L.Pascu
Editorial: Cryst.Res.Technol., 28(4), p.K 19-K23, 1993.
Rezumat:
A procedure for the obtaining of SI-GaAs oxygen doped is described. The material is available for the laser mirorrs (at 10.6 micr.) preparation;
Cuvinte cheie: compusi semiconductori III-V componente optice laser, GaAs // III-V semic.compounds, laser optical components, GaAs