Inscriere cercetatori

Premii Ad Astra

premii Ad Astra

Asociația Ad Astra a anunțat câștigătorii Premiilor Ad Astra 2022: http://premii.ad-astra.ro/. Proiectul și-a propus identificarea și popularizarea modelelor de succes, a rezultatelor excepționale ale cercetătorilor români din țară și din afara ei.

Asociatia Ad Astra a cercetatorilor romani lanseaza BAZA DE DATE A CERCETATORILOR ROMANI DIN DIASPORA. Scopul acestei baze de date este aceea de a stimula colaborarea dintre cercetatorii romani de peste hotare dar si cu cercetatorii din Romania. Cercetatorii care doresc sa fie nominalizati in aceasta baza de date sunt rugati sa trimita un email la cristian.presura@gmail.com

Single-dopant memory effect in P-doped Si SOI-MOSFETs

Domenii publicaţii > Fizica + Tipuri publicaţii > Articol în volumul unei conferinţe

Autori: E. Hamid, J. C. Tarido, S. Miki, T. Mizuno, D. Moraru, and M. Tabe

Editorial: Proceedings of IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, p.45, 2010.

Rezumat:

Recent studies of a single electron transport
through a single dopant atom in nanoscale field-effect
transistors (FETs) have revealed that discrete dopants
can work as quantum dots (QDs)1. In nanoscale FETs
with higher channel doping, dopant atoms may work
also as traps for single electrons. This provides the frame model for a new type of device: single dopant memory. We observed single-electron trapping and
detrapping features in the electrical characteristics of phosphorus-doped FETs. The low-temperature source-drain current/front gate voltage (Isd–Vfg) characteristics show hysteresis behavior, which is a signature of charging effect. Based on our Monte Carlo simulations, we propose a simple circuit model describing double-dopant effect.

Cuvinte cheie: single dopant, charging, trap, memory