Inscriere cercetatori

Premii Ad Astra

premii Ad Astra

Asociația Ad Astra a anunțat câștigătorii Premiilor Ad Astra 2022: http://premii.ad-astra.ro/. Proiectul și-a propus identificarea și popularizarea modelelor de succes, a rezultatelor excepționale ale cercetătorilor români din țară și din afara ei.

Asociatia Ad Astra a cercetatorilor romani lanseaza BAZA DE DATE A CERCETATORILOR ROMANI DIN DIASPORA. Scopul acestei baze de date este aceea de a stimula colaborarea dintre cercetatorii romani de peste hotare dar si cu cercetatorii din Romania. Cercetatorii care doresc sa fie nominalizati in aceasta baza de date sunt rugati sa trimita un email la cristian.presura@gmail.com

Si-based single-dopant atom devices

Domenii publicaţii > Fizica + Tipuri publicaţii > Articol în revistã ştiinţificã

Autori: M. Tabe, D. Moraru, A. Udhiarto, S. Miki, M. Anwar, Y. Kawai, and T. Mizuno

Editorial: Advanced Materials Research, 222, p.205-208, 2011.

Rezumat:

We have recently proposed and demonstrated a new device concept, “Si-based single-dopant atom device”, consisting of only one or a few dopant atoms in the channel of Si field-effect transistors. The device characteristics are determined by a dopant, which is mediating electron or hole transport between source and drain electrodes. In this paper, our recent results on electronic and photonic applications are introduced. Furthermore, single-dopant images obtained by a scanning probe microscope are also presented.

Cuvinte cheie: silicon, single dopant, single-electron devices

URL: http://www.scientific.net/AMR.222.205