Inscriere cercetatori

Premii Ad Astra

premii Ad Astra

Asociația Ad Astra a anunțat câștigătorii Premiilor Ad Astra 2022: http://premii.ad-astra.ro/. Proiectul și-a propus identificarea și popularizarea modelelor de succes, a rezultatelor excepționale ale cercetătorilor români din țară și din afara ei.

Asociatia Ad Astra a cercetatorilor romani lanseaza BAZA DE DATE A CERCETATORILOR ROMANI DIN DIASPORA. Scopul acestei baze de date este aceea de a stimula colaborarea dintre cercetatorii romani de peste hotare dar si cu cercetatorii din Romania. Cercetatorii care doresc sa fie nominalizati in aceasta baza de date sunt rugati sa trimita un email la cristian.presura@gmail.com

X-ray absorption fine structure of Hg0.79Cd0.21Te ion-implanted semiconductors

Domenii publicaţii > Fizica + Tipuri publicaţii > Articol în revistã ştiinţificã

Autori: Emil Indrea , Michel Jaouen , P Chartier

Editorial: Semiconductor Science and Technology, 12 (1), p.42 - 47, 1997.

Rezumat:

The local environments around mercury atoms in the narrow-bandgap semiconductor alloys have been deduced from extended x-ray absorption fine-structure (EXAFS) analysis. A nonlinear least-squares fitting was applied in order to determine the coordination number, the bond distances and the Debye – Waller factors for the nearest and the next-nearest neighbours around the Hg atom. While ordering has been found for the first coordination shell which consists of four tetrahedrally coordinated Te atoms at 0.280 nm, the next-neighbour shell (consisting of 12 cations) is split into two peaks at the bond lengths of 0.454 nm for Hg – Cd and 0.459 nm for Hg – Hg. Local structure parameters for Kr- and Xe-ion-implanted crystals are also analysed.

Cuvinte cheie: extended x-ray absorption fine-structure (EXAFS) analysis , Kr- and Xe-ion-implanted , narrow-bandgap semiconductor