Scopul nostru este sprijinirea şi promovarea cercetării ştiinţifice şi facilitarea comunicării între cercetătorii români din întreaga lume.
Staff Login
Premii Ad Astra
Asociația Ad Astra a anunțat câștigătorii Premiilor Ad Astra 2022: http://premii.ad-astra.ro/. Proiectul și-a propus identificarea și popularizarea modelelor de succes, a rezultatelor excepționale ale cercetătorilor români din țară și din afara ei.
Single-electron transfer by inter-dopant coupling tuning in doped nanowire silicon-on-insulator field-effect transistors
Domenii publicaţii > Fizica + Tipuri publicaţii > Articol în revistã ştiinţificã
Autori: *D. Moraru, M. Ligowski, K. Yokoi, T. Mizuno, and M. Tabe
Editorial: Applied Physics Express, 2 (7), p.071201, 2009.
Rezumat:
We demonstrate tunable single-electron turnstile operation in doped-nanowire silicon-on-insulator field-effect transistors. In these structures, electron transport occurs through dopant-induced quantum dots. We show that the substrate silicon can be used as a back gate to modulate the inter-dot coupling, which dictates the overlap between Coulomb domains in the charge stability diagrams of these devices. Since this overlap is a necessary requirement for single-electron turnstile, this procedure allows the optimization of the conditions for single-electron
turnstile in doped-nanowire field-effect transistors.
Cuvinte cheie: single-electron transfer, tuning, dopant, multi-dot array